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06330


Materialwiss. Bachelor Wintersemester 2005/2006
06330 Physics and Technology of Semiconductor Elements [WV]
   
Dozent Wixforth A., Ebbecke J.
Dauer 3 SWS
Studiensemester 5
Schein Ja (Übungen, Abschlußbericht; 6 LP)
Termin Di, 10:15-11:45 u. Fr, 12:30-14:00, 2003/HZ
Beginn 18.10.2005
Inhalt I. Grundlagen der Halbleiterphysik
Kristallstruktur, Bandstruktur wichtiger Halbleiter
Ladungsträger im thermischen Gleichgewicht
Ladungstransport
Thermische und optische Eigenschaften
Nichtgleichgewichteffekte

II. Methoden der Planartechnologie
Kristallzucht und Epitaxie
Oxidation und Lithografie
Dotierung und Kontaktierung
Gesamtprozess
Reinräume

III. Volumenbauelemente
Der p-n-Kontakt
Hochfrequenz- und optische Bauelemente
Bipolartransistor
Junction-Field-Effect-Transistor

IV. Grenzflächenbauelemente
Schottky-Kontakte
MOS-Diode
Metall-Oxid-Semiconductor Feldeffekttransistor (MOSFET)
Vorkenntnisse Elektronik, Festkörperphysik erwünscht, aber nicht unbedingt notwendig
Literatur S.M. Sze, "Semiconductor Devices - Physics and Technology"
S.M. Sze, "Physics of Semiconductor Devices"

Weitere Informationen Auf Wunsch kann die Vorlesung in englischer Sprache gehalten werden.