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Diamant


Diamant wird in Form dünner Schichten aus der Gasphase mittels Mikrowellenplasma-CVD abgeschieden.

Schwerpunkte der Augsburger Arbeiten sind

  • Epitaktische Keimbildung und Wachstum von Diamantschichten auf Einkristallsubstraten (Epitaxial nucleation and growth of diamond films on single-crystal substrates)
  • Mechanismen der Gleichspannungs-unterstützten Keimbildung (Mechanisms of the in-situ bias enhanced nucleation process)
  • Untersuchung der dünnen Diamantschichten mittels Röntgenbeugung sowie verschiedener Mikroskopietechniken (Characterization of thin diamond films by XRD, SEM, AFM, TEM)
  • Dotierung der Diamantfilme während des Wachstums (Doping of diamond films during CVD growth)
  • Wachstum von Diamantmosaikkristallen für den Einsatz als Neutronenmonochromatoren an den Forschungsneutronenquellen ILL (Grenoble) und FRM2 (München) (Growth of diamond mosaic crystal for the application as neutron monochromators at the neutron sources ILL (Grenoble) and FRM2 (München))
  • Herstellung von Diamantschichten hoher Reinheit und kristalliner Perfektion für den Einsatz als Teilchendetektoren an den Großforschungsanlagen GSI (Darmstadt) und CERN (Genf) (Preparation of diamond layers of high purity and good crystalline quality for the application as particle detectors in the high energy particle research centres GSI (Darmstadt) and CERN (Genève)
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Die folgende Abbildung zeigt die aktuellen Fortschritte bei den Bemühungen zur Realisierung großflächiger einkristalliner Diamantschichten

diamant01

Nach der Bekeimung von Diamant auf Iridium-Pufferschichten führt ein geeigneter texturierter Wachstumsschritt zu einkristallinen Schichten. Die folgende Abbildung zeigt schematisch diesen Übergang.

diamant02

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