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Johannes Goldfuß
Herstellung und Modifizierung heteroepitaktischer Oxidschichten auf Si
Betreuer: Prof. Dr. Bernd Stritzker [Experimentalphysik IV]
Datum der mündlichen Prüfung: 14.07.2005
109 Seiten, deutsch , ISBN 3-89700-432-1
Für die großflächige Abscheidung einkristalliner Funktionsschichten bietet Silizium viele technologische Vorteile. Dabei ist die Reaktivität des Siliziums oft ein grundsätzliches Problem. Epitaktische oxidische Pufferschichten wie z.B. Yttrium-stabilisiertes Zirkonoxid (kurz: YSZ) stellen eine gangbare Lösung dafür dar. In der vorliegenden Arbeit wird die Präparation epitaktischer YSZ-Schichten mittels gepulster Laserablation (PLD) sowie die Texturoptimierung der so hergestellten Dünnschichten in nachfolgenden Temperexperimenten beschrieben. Die Charakterisierung der Proben umfasst Untersuchungen zu Struktur, Textur und Topographie. Erste Experimente zur Verwendung der Schichten als Wachstumstumsubstrate für die Abscheidung epitaktischer Funktionsschichten zeigen vielversprechende Ergebnisse. Insbesondere wurde ein alternativer Weg aufgezeigt für die Realisierung epitaktischer SrTiO3-Schichten auf Si.