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Michael Zeitler
Synthese und Spannungsanalyse von Bornitridschichten, hergestellt mittels ionengestuetzter Deposition
Betreuer: Prof. Dr. B. Rauschenbach [Experimentalphysik IV]
Datum der mündlichen Prüfung: 26.11.1998
94 Seiten, deutsch
Duenne Schichten aus kubischem Bornitrid waeren sowohl fuer viele elektronische, wie fuer mechanische Anwendungen ein geradezu ideales Material. Jedoch sind die mangelhafte Phasenreinheit, die Polykristallinitaet und die Schichtdegeneration Probleme, die derzeit den technologischen Einsatz dieses diamantaehnlichen Materials behindern. Bisher sind ionengestuetzte Verfahren die einzige Moeglichkeit duenne (< 1%B5m) Schichten mit einem hohen Anteil an kubischem Bornitrid zu synthetisieren. Die strahlungsinduzierten Defekte fuehren zu grossen Spannungen in den Filmen und koennten somit eine Ursache der Depositionsprobleme sein. Die Arbeit stellt eine Moeglichkeit zur experimentellen "in-situ" Bestimmung dieser intrinsischen Schichtspannungen vor. Beim Vergleich der Ergebnisse mit einem einfachen, auf der Implantationstheorie basierenden Modell, kann der zeitliche Verlauf der Schichtspannung tendenziell erklaert werden.